国际半导体业界权威刊物《Semiconductor Today》和《

发布时间: 2020-06-08 15:33 文章来源:香港新澳门app

  

  武汉光电国家研究中心自成立以来秉承为企业界提供多方位服务的宗旨,经过多年经营,与国内外多家知名企业业已建立了良好的合作关系,合作领域涉及:基础光子学、集成光电器件与微纳制造、激光科学与技术、光通信与光网络、光电测控技术与仪器、光电信息存储、生物医学光电子、有机光电子学、先进光电材料与纳米技术等。在上述领域,我们可提供既有的技术服务,也接受企业委托开发或改善其所需特定技术与产品,或与企业开展研发合作,此外,业界朋友亦可通过实验室的公共论坛——“武汉光电论坛”获取光电领域前沿科研动态与光电产业最新资讯。服务总览武汉光电工业技术研究院负责人:刘谦邮箱:物成像研究平台负责人:刘秀丽邮箱:.edu.cn电线测试服务——湖北省光电测试中心负责人:刘笔锋邮箱:.edu.cn电话传真…

  武汉光电工业技术研究院武汉光电工业技术研究院(以下简称光电工研院)由武汉东湖新技术开发区和华中科技大学合作共建,由武汉光电国家研究中心负责其运行与管理,是包含共性技术研发、中试熟化对接、高端产业孵化、企业研发服务等功能于一体的协同创新平台。光电工研院围绕研究中心大量科研成果,提供产业化必需的工程技术研发、成果对接、投资运作和企业孵化,实现从“创新”到“创造”的转化。光电工研院作为高新区光电子产业科技创新驱动的核心源头和政产学研结合的对接平台,突出开放性为主要特色,将体制机制创新作为首要任务,形成“以开放促进创新、以需求决定研发、以市场引导孵化、以贡献谋求发展”的运作和发展模式,实行理事会领导下的院长负责制,咨询委员会为主体的项目建议和筛选制度,研究部、事业部共同推进的研发对接制度。光电工研院依托光电国家实验室研发资源,设立光电子器件与集成产业研究部、能源光电子产业研究部、生物医…

  光电子微纳制造工艺平台武汉光电国家研究中心公共实验平台——光电子微纳制造工艺平台位于光电国家研究中心E区,始建于2005年9月。2006年6月起,随着工艺及测试设备的搬入和调试,平台开始投入使用。平台使用总面积约1900多平方米,净化等级最高为5级(百级),最低为8级(十万级);其中百级间136平方米、千级间439平方米、万级间639平方米、十万级间463平方米。平台建有完善的动力、净化空调及气体保障系统。目前,共有设备135台(套),其中主设备36台(套),辅助设备99台(套),利用“985工程”二期建设资金所购设备总值近一亿元,拥有“金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)”2台、“电子束光刻系统(EBL)”、 “感应耦合离子刻蚀机(ICP-RIE)2台、“低压化学气相沉积(LPCVD)”、“等离子体增强化学气相沉积(PECVD)”、“磁控溅射机”等多台大型工艺设备,另有“微区Raman/PL系统”、“高分辨率X射线衍射仪”、“光学椭偏仪”等10台测试设备;平台…

  纳米表征与纳米器件中心网上预约平台:联系人:苏老师 邮箱:.cn 本中心在国家研究中心和王中林院士的领导下,从2010起开始建设,历时3年,现已成功安装四台电子显微镜,它们分别是:300 kV电子束球差校正透射电子显微镜(300 kV Titan Probe corrected TEM,Titan G2 60-300),扫描电镜/聚焦离子束电镜系统 (Quanta 3D FEGDualbeam),200 kV高分辨透射电子显微镜(200 kV HRTEM,Tecnai G2 20 U-Twin)和热场发射扫描电镜(Nova NanoSEM 450)。 此平台的建设对国家实验室、学校乃至中南地区的光电子学,生物医学,物理学,材料学,化学等学科领域的基础研究起到重要的支撑和服务。300 kV电子束球差校正透射电镜高分辨透射电镜的分辨率一般可以达到2 ?,经过多年的发展,通过提高加速电压来提高分辨率遇到了技术上的瓶颈。球差校正技术的诞生提供了突破1 ?分辨率的途径,Titan就…

  生物光学成像研究平台武汉光电国家研究中心生物光学成像研究平台,开展以生命医学关键科学问题牵引的光电原理技术与方法研究,着重开展生物光学成像研究,优先考虑生物学研究的需求,建立有创造性贡献的成像方法,已形成国际上有特色的现代显微光学成像设施。该平台建设有650平方米的万级洁净间,包括创新研发功能区(R1)、显微光学成像平台(R2)、显微光学切片断层(MOST)成像平台(R3)、样品准备区等功能区域。已购置LSM780 NLO正置双光子显微镜、LSM710倒置共聚焦显微镜、A1SiMP高速正置双光子显微镜、FV1200电生理双光子显微镜、UltraViewVoX激光转盘共聚焦显微镜、CellvizioR 488荧光共聚焦内窥镜等大型光学显微成像设备,以及9套MOST系统。可开展分子、细胞、组织到活体层次的光学成像,以满足对内和对外服务的需求。网址:202.114.29.56预约方式参看网站介绍联系信息:生物成像研究平台联系人:李向宁邮箱:.cn电话总机…

  武汉光电国家研究中心自成立以来致力于与企业界开展多种形式的研发合作,其领域涉及:基础光子学、集成光电器件与微纳制造、激光科学与技术、光通信与光网络、光电测控技术与仪器、光电信息存储、生物医学光电子、有机光电子学、先进光电材料与纳米技术等,合作形式包括:建立联合实验室或研究中心(详见附表)共同研发高端产品或尖端技术、接受企业委托开发或改善其所需特定技术与产品以及共同完成国家级重点科研项目等。附表:武汉光电国家实验室(筹)企研联合实验室或实验中心序号武汉光电国家研究中心与企业建立的联合实验室或研究中心责任人1华中科技大学蓝韵医疗设备工程技术中心刘谦2OLYMPUS生物显微镜示范实验室付玲3新一代红光高清NVD整机研发基地谢长生4唯冠集团-华中科大联合研究中心谢长生5易拓科技-华中科技大学信息存储联合实验室刘景宁6华中科技大学-艾维通信集团通信技术联合研究中心朱光喜7华中科技大学-武汉世纪信通“融…

  武汉光电国家研究中心提供会议室、贵宾休息室、咖啡屋服务,可按照国际会议标准提供会议、座谈以及国际、国内学术交流。会场介绍:会议室:A区,包括A101、A201、A202、A301、A302、A401、A402、A405、 D302。>

  武汉光电国家研究中心提供会议室、贵宾休息室、咖啡屋服务,可按照国际会议标准提供会议、座谈以及国际、国内学术交流。会场介绍:会议室:A区,包括A101、A201、A202、A301、A302、A401、A402、A405、 D302。详细(链接图片:1—会议室信息.jpg)贵宾休息室:A区102室,内有沙发、地毯、茶几等设施,可容纳20人。[在线预订]

  10月30日,国际著名半导体行业刊物《Semiconductor Today》(《今日半导体》)对团队发表在光学领域Top期刊ACS Photonics(IF:7.143,中科院JCR大类一区期刊)上的最新深紫外激光器(Deep Ultraviolet Laser Diodes)研究进行了专题报道(News Features)。该工作首次采用超薄AlN/GaN多量子阱作为深紫外激光器的有源区实现了室温光激励下峰值波长为249 nm的横电模(TE)受激发射现象,阈值功率密度为190kW/cm2。该工作由华中科技大学武汉光电国家研究中心陈长清、戴江南团队、沙特阿卜杜拉国王科技大学李晓航教授团队以及中国科学院宁波材料技术与工程研究所叶继春研究员、郭炜副研究员团队共同完成。其中,华中科技大学为论文第一作者单位, 武汉光电国家研究中心博士生单茂诚和张毅为论文共同第一作者,陈长清教授、戴江南研究员和李晓航教授为该文的共同通讯作者。

  据了解,Semiconductor Today是总部位于英国,具有独立性和非盈利性的国际半导体行业著名刊物,专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和最新行业动态。

  11月5日,国际著名半导体行业刊物《Compound Semiconductors》(《化合物半导体》)对陈长清、戴江南研究团队发表在国际能源领域Top期刊《Nano Energy》(IF:15.548,中科院JCR大类一区期刊)上最新深紫外LED(Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes)研究进展进行了报道。该工作创新性地将p-i-n的探测结构单片集成在深紫外LED芯片中,实现了载流子循环注入、光倍增放大功能,获得了光电转化效率高达21.6%的深紫外LED芯片,为目前国际报道最高值。该工作为华中科技大学武汉光电国家研究中心陈长清教授、高义华教授、戴江南研究员,河北工业大学张紫辉教授和中国科学技术大学孙海定研究员的合作研究成果。其中,华中科技大学为论文第一作者单位,武汉光电国家研究中心博士生王帅和龙瀚凌为论文共同第一作者,戴江南研究员为该论文的通讯作者。

  据悉,《Compound Semiconductors》是全球最重要和最权威的半导体刊物,重点介绍国际先进半导体技术进展,为国际读者提供化合物半导体行业的专业知识。



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